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Objetivos puros de tungsteno de 99.95% con W1 ASTM B760
El objetivo de pulverización de aleación de titanio de tungsteno puede utilizarse para fabricar la barrera de difusión para los chips de semiconductores, la nueva célula solar y el circuito cerámico de película delgada.
El objetivo de pulverización de aleación de silicio de tungsteno puede usarse para la capa de contacto óhmico de los chips semiconductores.
Tipo |
W (% en peso) |
Ti (% en peso) |
Si (% en peso) |
Pureza (% en peso) |
Densidad(%) |
Tamaño del grano y (μm) |
Dimensión (máx. Mm) |
Real academia de bellas artes |
WTi10 |
90 ± 0,5 |
10 ± 0,5 |
/ |
99,9-99,999 |
≥99 |
|
400 × 40 |
≤ 1,6 |
WTi20 |
80 ± 0,5 |
20 ± 0,5 |
/ |
99,9-99,995 |
≥99 |
|
400 × 40 |
≤ 1,6 |
WSi10 |
90 ± 0,5 |
/ |
10 ± 0,5 |
99,9-99,999 |
≥99 |
|
400 × 40 |
≤ 1,6 |
WSi20 |
80 ± 0,5 |
/ |
20 ± 0,5 |
99,9-99,999 |
≥99 |
|
400 × 40 |
≤ 1,6 |
http://es.aonetitanium.com/